Cellule SRAM 12 transistors à ultra faible courant de fuite
(2008) 7e journées d’étude Faible Tension Faible Consommation, FTFC 2008 — Location: Louvain-la-Neuve/Belgique (26.May.2008)
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De Vos, J., Bol, D., & Flandre, D. (2008). Cellule SRAM 12 transistors à ultra faible courant de fuite. Proceedings des 7e journées d’étude Faible Tension Faible Consommation, FTFC 2008. 7e journées d’étude Faible Tension Faible Consommation, FTFC 2008, Louvain-la-Neuve/Belgique. https://hdl.handle.net/2078.5/253030