Conception d'une tension de référence bandgap d'ordre supérieur fonctionnant de 25 à 225°C dans une technologie CMOS-SOI 1.0 µm partiellement déplétée
(2003) Colloque TAISA 2003 — Location: Louvain-la-Neuve, Belgique (25.September.2003)
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Adriaensen, S., Flandre, D., & Richter, S. (2003). Conception d’une tension de référence bandgap d’ordre supérieur fonctionnant de 25 à 225°C dans une technologie CMOS-SOI 1.0 µm partiellement déplétée. Proceedings de TAISA 2003, 87-90. https://hdl.handle.net/2078.5/252791