Point mémoire analogique basse tension basé sur l'effet GIDL

Donckers, Nicolas;Butaye, Olivier;Flandre, Denis;Verleysen, Michel
(2004) TAISA 2004 - 5ème Colloque sur le Traitement Analogique de l’Information, du Signal et ses Applications — Location: Lausanne (Suisse) (30.September.2004)

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La mémoire est un élément incontournable de tout circuit électronique; le développement des applications analogiques basse puissance et basse tension sera conditionné par la disponibilité de points mémoire présentant ces mêmes caractéristiques. Dans cet article, nous examinons les possibilités de réaliser un point mémoire analogique permanent en technologie SOI qui soit adapté aux circuits basse puissance, alimentés sous faible tension. Nous envisageons l'utilisation de transistors à grille flottante et montrons comment ces mémoires peuvent être programmées à l'aide de courants circulant à travers l'oxyde de grille. Nous utilisons l'effet GIDL afin de produire ce courant de grille ce qui, à notre connaissance, n'avait jamais été envisagé.
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Donckers, N., Butaye, O., Flandre, D., & Verleysen, M. (2004). Point mémoire analogique basse tension basé sur l’effet GIDL. Proceedings of TAISA 2004 - 5ème Colloque sur le Traitement Analogique de l’Information, du Signal et ses Applications, 55-58. https://hdl.handle.net/2078.5/226453