Une nouvelle méthode d'extraction directe des paramètres petits signaux d'un transistor à effet de champ, application aux MOSFET SOI
(1997) Journées Nationales Microondes — Location: Saint-Malo, France (20.May.1997)
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Raskin, J.-P., & Dambrine, G. (1997). Une nouvelle méthode d’extraction directe des paramètres petits signaux d’un transistor à effet de champ, application aux MOSFET SOI. Proceedings des Journées Nationales Microondes, pp. 586-587. https://hdl.handle.net/2078.5/229203