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Abstract
Une méthode de caractérisation non destructive de substrats SOI basée sur un résonateur rectangulaire est proposée. Un modèle permettant d’extraire la résistivité du substrat sur base de la fréquence de résonance et du facteur de qualité de la cavité après introduction de l’échantillon est établi. La méthode présente des résultats en adéquation avec l’extraction via lignes coplanaires (CPW). En particulier, une grande sensibilité aux fines couches de conduction de surface parasite (PSC) est démontrée.
Affiliations

Citations

Renard, C., Lederer, D., Craeye, C., & Raskin, J.-P. (2026). Caractérisation de Substrats SOI via une Méthode de Résonance. 24èmes Journées Nationales Microondes, Lille, France. https://hdl.handle.net/2078.5/278656