Une méthode de caractérisation non destructive de
substrats SOI basée sur un résonateur rectangulaire est
proposée. Un modèle permettant d’extraire la résistivité
du substrat sur base de la fréquence de résonance et
du facteur de qualité de la cavité après introduction de
l’échantillon est établi. La méthode présente des résultats
en adéquation avec l’extraction via lignes coplanaires
(CPW). En particulier, une grande sensibilité aux fines
couches de conduction de surface parasite (PSC) est démontrée.
Renard, C., Lederer, D., Craeye, C., & Raskin, J.-P. (2026). Caractérisation de Substrats SOI via une Méthode de Résonance. 24èmes Journées Nationales Microondes, Lille, France. https://hdl.handle.net/2078.5/278656