Le transistor MOSFET SOI dans le domaine des micro-ondes : modèle linéaire et choix technologiquesRaskin, Jean-Pierre(1995) URSI 1995 — Location: Leuven, Belgium (13.December.1995)
FilesNo attached file found for this publication.DetailsAuthorsRaskin, Jean-PierreUCLouvainAuthorAffiliationsUCLouvainFSA/ELEC - Département d'électricitéShow moreCitations APA Chicago FWB Raskin, J.-P. (1995). Le transistor MOSFET SOI dans le domaine des micro-ondes : modèle linéaire et choix technologiques. Union Radio-Scientifique Internationale, p. 55. https://hdl.handle.net/2078.5/229107