Intérêts de la technologie CMOS SOI pour les applications micro-ondes faible tension faible consommation
(2001) 3ème Journées Francophones d’Etudes Faible Tension Faible Consommation FTFC’2001 — Location: Paris, France (30.May.2001)
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- Cet article présente les intérêts de la technologie CMOS SOI pour les applications micro-ondes faible tension faible consommation. Les améliorations des performances en continu et micro-ondes des dispositifs actifs mais aussi passifs grâce à l’utilisation de substrats SOI sont exposées. L’épais oxyde enterré en-dessous des dispositifs en technologie SOI nous permet d’utiliser des substrats de silicium de haute résistivité et donc de réduire grandement les multiples couplages parasites entre circuits réalisés sur un même substrat. Cela est de première importance en vue de fabriquer des circuits mixtes analogiques-digitaux sur une même puce de silicium. Des circuits de base d’un récepteur micro-ondes (oscillateurs, mélangeurs, amplificateurs faible bruit, etc.) ont été réalisés et mesurés. Les résultats obtenus démontrent les capacités de la technologie CMOS SOI pour la réalisation de circuits micro-ondes et les avantages de celle-ci comparés à la technologie CMOS classique en terme de fréquences de coupure, bruit, consommation, tension d’alimentation, etc.
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Dehan, M., Parvais, B., Dambrine, G., & Raskin, J.-P. (2001). Intérêts de la technologie CMOS SOI pour les applications micro-ondes faible tension faible consommation. Proceedings des 3ème Journées Francophones d’Etudes Faible Tension Faible Consommation FTFC’2001, pp. 63-72. https://hdl.handle.net/2078.5/229292